[发明专利]一种控制低维磁性的铁电异质结及构建模型的方法

摘要

本发明提供一种控制低维磁性的铁电异质结，包括两层二维材料：In2Se3铁电基底材料和磁性材料石墨烷。本发明还提供一种控制低维磁性的铁电异质结构建模型的方法，包括以下步骤：一、选取石墨烷和In2Se3单胞，分别对其进行结构优化。二、选取步骤一结构优化之后的石墨烷的晶格，将其置于In2Se3两侧，分别进行结构优化，并计算其电子性质。本发明提供了一种通过第一性原理计算的方法来实现磁性能的非易失性调控。In2Se3由于中间Se原子层处于不等价的环境中，通过移动Se原子层可以实现极化翻转的目的。通过本发明提出的异质结，当基底处于极化向上时，为无磁，当基底处于极化向下时，保持铁磁的状态，从而通过控制In2Se3极化方向实现磁性调控的目的。