[发明专利]种子层的刻蚀方法、晶圆级封装键合环及其制作方法在审
| 申请号： | 202011134703.5 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112479153A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李胜利;王春水;陈丹;马占锋;汤东强;汪超 | 申请（专利权）人： | 武汉鲲鹏微纳光电有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 胡建文 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种种子层的刻蚀方法，用于晶圆级封装中，包括如下步骤：S1，对长有种子层且具有MEMS腔的晶圆进行掩膜作业，作业时仅露出键合环；S2，在掩膜作业完成后，对键合环处的所述种子层进行电镀作业；S3，在电镀作业完成后，去除掩膜露出种子层；S4，待掩膜去除完毕后，采用氨水、双氧水以及水的混合物刻蚀去除种子层，以使键合环金属化。提供一种晶圆级封装键合环的制作方法，采用上述的种子层的刻蚀方法，得到晶圆级封装键合环。提供一种晶圆级封装键合环，采用上述的制作方法制得。本发明通过探索新的刻蚀方法，不仅实现了种子层的一次性刻蚀，大大缩短了工艺时间，增强了产品的稳定性，还可以显著降低企业成本，突破国外对关键材料的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 种子 刻蚀 方法 晶圆级 封装 键合环 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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