[发明专利]一种1024字节的存储系统差错控制模块在审
| 申请号： | 202011133466.0 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112286716A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 赵斌;王辉;鲁毅 | 申请（专利权）人： | 天津津航计算技术研究所 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 周恒 |
| 地址： | 300308 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于存储系统纠错技术领域，具体涉及一种1024字节的存储系统差错控制模块。所述差错控制模块包括：BCH编码模块及BCH解码模块；所述BCH编码模块包括：编码运算单元及编码控制单元；所述BCH解码模块包括：解码运算单元及解码控制单元；根据BCH码的解码原理，所述BCH解码单元又包括：伴随式计算模块、错误位置多项式模块、Chien搜索模块以及纠错模块；本发明应用于NAND Flash存储控制器，能够在保持纠错正确性和稳定性的情况下，相比于一般的差错控制系统，具有更大的信息位数据位宽，同时32位流水线设计能够保证差错控制方案的高效性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 1024 字节 存储系统 差错 控制 模块 | ||
【主权项】：
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