[发明专利]定位测试结构失效位置和原因的方法在审
| 申请号： | 202011130353.5 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112305407A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 曹茂庆;杨领叶;丁德建;段淑卿;高金德 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及定位测试结构失效位置的方法，涉及半导体集成电路失效分析技术，首先获得测试结构的失效模型，然后将测试结构中的器件结构中的PN结开启，利用显微镜定位到存在PN结导通区域的测试结构组，而可快速定位到目标区域，最后根据失效模型向器件的失效模型对应的端子施加测试信号，获得对应端子的测试信号的异常发光点，并将倍率逐渐放大，进而锁定到失效位置，如此通过PN结开启可快速定位到目标区域，然后通过切换测试条件而快速锁定到失效位置，且可避免现有技术中的因背景噪声信号较大，会淹没失效点信号，而无法定位的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 定位 测试 结构 失效 位置 原因 方法 | ||
【主权项】：
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