[发明专利]一种MOS开关吸收电路、系统及尖峰电压吸收方法

摘要

本发明提供了一种MOS开关吸收电路、系统及尖峰电压吸收方法，所述MOS开关通用吸收电路包括：硬开关MOS管、与硬开关MOS管连通的电平输入端、箝位电容、以及控制箝位电容与硬开关MOS管连通与否的吸收控制单元；吸收控制单元包括箝位MOS管，箝位MOS管的源极与电平输入端连接，箝位MOS管的漏极通过箝位电容与硬开关MOS管的漏极连接，箝位MOS管的栅极、源极间还并联有与电平输入端、箝位电容串联的箝位二极管；一充放电单元与箝位MOS管的栅极及电平输入端连接。解决了现有吸收电路中MOS开关速度慢、能量耗散大的问题；且结合充放电单元，实现了对箝位电容与硬开关MOS管并联与否的自动控制，使得本发明的结构及方法，在MOS开关种类的应用中具有极强的通用性。