[发明专利]半导体器件的制造方法和电子装置在审
| 申请号： | 202011119380.2 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN114380270A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 黄河;向阳辉;桂珞;刘孟彬 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法和电子装置，方法包括：提供MEMS器件，包括基底和环绕基底的围壁结构，基底上悬空设置有可动结构，可动结构和基底之间、以及可动结构和围壁结构之间形成有第一牺牲层；去除第一牺牲层；在可动结构和围壁结构之间，和/或可动结构和基底之间形成第二牺牲层；在可动结构上固定待安装元件；去除第二牺牲层。本发明先去除第一牺牲层，避免去除第一牺牲层的工艺对待安装元件的影响；此外，第二牺牲层能够对可动结构进行固定，使得待安装元件精确地固定于可动结构上，且去除第二牺牲层的工艺对待安装元件的影响小；综上，本发明提高待安装元件和可动结构的对准精度，同时，降低待安装元件受损的概率，从而提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
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