[发明专利]一种红外增透的二氧化铪介质薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202011103988.6 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112241031B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 赵九蓬;谷金鑫;豆书亮;李垚;魏航;任飞飞 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G02B1/115 | 分类号： | G02B1/115;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/58;C23C14/35 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
一种红外增透的二氧化铪介质薄膜及其制备方法，它属于红外增透领域。本发明要解决现有Si基底透过率较低，而HfO |
||
| 搜索关键词： | 一种 红外 氧化 介质 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011103988.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图像处理方法及系统、电子设备及存储介质
- 下一篇：一种可扩展多路图像采集装置
