[发明专利]一种射频功率放大器的自适应电路结构及射频功率放大器在审
| 申请号： | 202011102335.6 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112187192A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡颖斌;章国豪;唐浩;黄国宏 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H03F3/189 | 分类号： | H03F3/189;H03F1/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨小红 |
| 地址： | 510060 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开一种射频功率放大器的自适应电路结构及射频功率放大器，其中，自适应电路结构通过在供电电压与第一电容之间设置第二MOS管，第二MOS管相当于等效为一个可变电阻，使得流经第二MOS管的栅极的电流几乎为零，从而使得第一MOS管的漏极电流只流经第二电阻，随着输入信号功率不断增加，第一MOS管的栅极电压不断上升，使得第一MOS管的漏极电流上升，进而使得第二电阻电压增加，接着第二MOS管的栅级电位下降，等效电阻上升，最后使得反馈回路电流下降，因此，射频功率放大器的增益上升，从而改善功率放大器的AM‑AM特性；而且本申请的自适应电路结构简单，成本较低，解决了现有技术不能同时兼顾改善射频功率放大器的AM‑AM特性与较低成本的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 功率放大器 自适应 电路 结构 | ||
【主权项】：
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