[发明专利]一种宽带高透过单层AlF3在审

专利信息
申请号: 202011089057.5 申请日: 2020-10-13
公开(公告)号: CN114351098A 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 刘俊成;马超;李宁 申请(专利权)人: 天津工业大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C03C17/22;C23C14/06;G02B1/113
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300387 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明属于光学薄膜技术领域,公开了一种以AlF3为靶材用磁控溅射法制备宽带高透过AlF3减反射膜的制备方法,包括以下步骤:SF6/Ar2气体流量比设置、溅射工作压力设置,射频电源功率设置;本发明以AlF3作为靶材,以Ar2作为工作气体,SF6作为反应气体,使用仪器的气路混合装置将气体充分混合,通过调整溅射时SF6/Ar2气体流量比值,改善了沉积AlF3薄膜中F贫乏缺陷的问题,通过调整工作压力和射频电源功率使得AlF3薄膜F∶Al的化学计量比接近于正常化学计量比值3∶1,降低了薄膜的折射率,且提高了镀膜玻璃的透过率。采用本技术方案制得AlF3减反射膜可应用于光学器件中,制备工艺简单、成本降低。
搜索关键词: 一种 宽带 透过 单层 alf base sub
【主权项】:
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