[发明专利]一种基于硅长方体的高方向性横向单向散射实现方法有效
| 申请号： | 202011082812.7 | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN112162393B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 王湘晖;王建鑫 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | G02B21/00 | 分类号： | G02B21/00;G02F1/00;G02F1/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种产生高方向性横向单向散射的纳米光学方法，属于新型纳米光学技术领域。本发明基于聚焦径向偏振光与硅长方体的相互作用，通过调节硅长方体的长、宽、高这三个结构参数以及长方体在焦平面上的横向位移量，使得总电偶极矩的轴向分量、磁偶极矩的横向分量以及磁四极距垂直于传播轴的平面分量之间的相位差和振幅比满足横向Kerker散射条件，实现高方向性横向单向散射。本发明提出的方法可以将横向单向散射的辐射角度降低至60°。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 长方体 方向性 横向 单向 散射 实现 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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