[发明专利]新型复合量子阱结构的VCSEL芯片结构及制备方法有效
| 申请号： | 202011079270.8 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112398001B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 尧舜;戴伟;杨默;张颜儒;王青;李军;张杨 | 申请（专利权）人： | 华芯半导体研究院（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/187 | 分类号： | H01S5/187;H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 周慧云 |
| 地址： | 100020 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了新型复合量子阱结构的VCSEL芯片结构及制备方法。该VCSEL芯片包括衬底；衬底上依次生长的缓冲层、N型布拉格反射镜、量子阱、氧化层、P型布拉格反射镜以及P型GaAs层；所述量子阱包括依次生长的第一space层、第一外垒层、阱垒层、第二外垒层和第二space层；所述阱垒层包括重叠生长的A1GaAs势垒和InGaAs势阱，所述重叠生长的A1GaAs势垒和InGaAs势阱中包括至少两个不同的A1GaAs势垒或/和至少两个不同的InGaAs势阱。本发明将阱垒重复循环生长方式变更为复合生长方式，生长多个MQW峰值波长，增加了增益谱宽度，更大的温度范围内得到平坦的增益。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 复合 量子 结构 vcsel 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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