[发明专利]一种晶片腐蚀液及腐蚀方法在审
| 申请号： | 202011057130.0 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112251818A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 周一;毕洪伟 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/40 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 404040 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶片腐蚀液及腐蚀方法，涉及半导体材料技术领域。本发明的一种晶片腐蚀液，包括以下体积百分比的组分：双氧水70％～77％、浓硫酸3.8％～5％、冰醋酸7.7％～10％、浓盐酸9.5％～11.5％，优选的，包括以下体积百分比的组分：双氧水77％，浓硫酸3.8％，冰醋酸7.7％，浓盐酸11.5％，本发明的晶片的腐蚀方法，包括浸泡清洗、一次腐蚀、二次腐蚀、三次腐蚀、四次腐蚀、脱水、烘干步骤。本发明公开了一种晶片腐蚀液及腐蚀方法，能够改善晶片腐蚀速度慢以及晶片腐蚀后不易清洗的问题，能够在一定程度上有效增加腐蚀液腐蚀后的成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
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