[发明专利]应用于磁保持继电器静态特性仿真中非导磁层的模拟方法有效
| 申请号： | 202011050763.9 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112131772B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 由佳欣;冯祥东;郑思辰;谢焱森;王贵斌 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 高媛 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种应用于磁保持继电器静态特性仿真中非导磁层的模拟方法，所述方法如下：S1：建立含永磁体的磁保持继电器CAD模型；S2：测量工作磁通路径中的非导磁镀层；S3：在有限元软件中导入CAD模型，对永磁体、轭铁的尺寸进行修改，去除外表面镀层的厚度；S4：紧贴永磁体表面建立非导磁镀层体 |
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| 搜索关键词： | 应用于 保持 继电器 静态 特性 仿真 中非 导磁层 模拟 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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