[发明专利]一种8T SRAM单元及存内计算装置有效
| 申请号： | 202011045240.5 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112151091B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 乔树山;陶皓;尚德龙;周玉梅 | 申请（专利权）人： | 中科南京智能技术研究院 |
| 主分类号： | G11C11/41 | 分类号： | G11C11/41;G11C11/413;G11C11/416 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 崔玥 |
| 地址： | 211100 江苏省南京市江宁*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种8T SRAM单元及存内计算装置。该装置包括一个8T SRAM单元阵列、一个输入驱动器、一个列译码和位线驱动模块、一个行解码器和N个数模转换模块。本发明中的8T SRAM单元阵列使用的计算模式采用的2比特输入的乘算模式，相比传统的8T结构的存算SRAM采用的1比特输入的计算模式，能够提高计算的精度，有利于提高数据计算的准确性。同时本发明中的8T SRAM单元阵列的2比特计算方案，和传统的8T结构的存算SRAM相比实现了2个传统8T结构的存算SRAM才能完成的功能，降低了阵列的面积，减小了整体SRAM的面积消耗以及能耗，提高了效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 单元 计算 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中科南京智能技术研究院，未经中科南京智能技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011045240.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
