[发明专利]二阶梯度交叉耦合型SQUID电流传感器以及制备方法有效
| 申请号： | 202011033999.1 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112305293B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 徐达;李劲劲;钟青;王雪深 | 申请（专利权）人： | 中国计量科学研究院 |
| 主分类号： | H10N60/80 | 分类号： | H10N60/80;G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 樊春燕 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种二阶梯度交叉耦合型SQUID电流传感器以及制备方法。多个环路电极(SQUID环路的一部分)依次包围间隔设置。多个第一连接结构将多个环路电极并联连接。多个输入环路与多个环路电极依次间隔设置，形成由中心点依次向外间隔设置的结构。多个输入环路串联连接，形成输入线圈。输入线圈与环路电极之间的相互交叉结构，使得SQUID环路与输入线圈形成交叉耦合结构，可以减小寄生电容。并且，通过第一电极结构、第二电极结构、第三电极结构、第四电极结构、第一约瑟夫森结结构、第二约瑟夫森结结构形成的二阶梯度并联电感结构的SQUID环路，可有效抵消外界磁场干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 阶梯 交叉 耦合 squid 电流传感器 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
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