[发明专利]一种光学临近效应修正方法及装置在审
申请号: | 202011024848.X | 申请日: | 2020-09-25 |
公开(公告)号: | CN112051707A | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 崔耀升 | 申请(专利权)人: | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李晓光 |
地址: | 250101 山东省济南市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提供了一种光学临近效应修正方法及装置,该光学临近效应修正方法包括:获取待处理设计图形中的角对角特征;将所述角对角特征处的两条竖边在水平方向上背向移动预设距离,得到目标设计图形;对所述目标设计图形进行分段处理,控制点与分段点在同一条直线上。也就是说,在目标设计图形上再进行分段处理,这样在分段之前就改变了角对角特征处的尺寸,使得设计图形边缘进行上下移动时不再拘束于单一方向,可以向接近角的方向移动的同时满足掩膜制造最小尺寸的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 光学 临近 效应 修正 方法 装置 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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