[发明专利]单片集成多波长量子级联激光器阵列结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202010976458.6 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112072471B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 郭强强;张锦川;程凤敏;刘峰奇;刘俊岐;卓宁;王利军;刘舒曼;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/065;H01S5/125 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种单片集成多波长量子级联激光器阵列结构及其制作方法，其中，激光器阵列结构包括形成于衬底上，脊型的阵列直条区、分布布拉格反射区和光束组合区；阵列直条区，形成呈阵列结构的多个解离腔；分布布拉格反射区，与阵列直条区结合形成呈阵列结构的多个完整谐振腔；光束组合区，用于将呈阵列结构的多个完整谐振腔耦合集成，实现光束多波长连续同轴输出；阵列直条区、分布布拉格反射区和光束组合区由下至上依次包括：下波导层、下限制层、有源层、上限制层、上波导层和欧姆接触层；在上限制层对应分布布拉格反射区刻蚀形成二级光栅。本发明一方面实现集成阵列单元单纵模输出；另一方面实现无损耦合，实现室温多波长连续同轴输出。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 集成 波长 量子 级联 激光器 阵列 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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