[发明专利]一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装及制造工艺在审
| 申请号： | 202010974977.9 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN111958482A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 刘溪笔;刘云志;杨国兴;吴继伟 | 申请（专利权）人： | 大连达利凯普科技股份公司 |
| 主分类号： | B24B37/28 | 分类号： | B24B37/28;B24B37/30;B24B1/00;H01G13/00;H01G4/12 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 毕进 |
| 地址： | 116630 辽宁省大连*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装及制造工艺，属于单层陶瓷电容器制造领域。技术方案：采用一次性树脂游轮工装对产品进行预处理，使基片从0受力到全面受力均匀逐步进行，将烧结后基片表面的杂质、凹坑、凸起去除，使产品平整厚度一致；正面减薄：采用减薄机与专用吸真空工装匹配对基片正面进行减薄；正面研磨：通过专用吸真空工装匹配，采用单面研磨机对基片正面进行研磨；正面抛光：通过专用吸真空工装匹配，采用单面抛光机对基片正面进行抛光；同理进行反面减薄、研磨、抛光。有益效果：本发明解决了现有工艺的极限厚度、精度、碎片率、外观不良等问题，完全可以满足100um厚度电容器所需基片要求，实现了超薄单层陶瓷电容器的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 单层 陶瓷 电容器 基片吸 真空 工装 制造 工艺 | ||
【主权项】：
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