[发明专利]一种水平有序碳纳米管阵列微型超级电容器的制备方法

摘要

本发明公开了一种水平有序碳纳米管阵列微型超级电容器的制备方法，该器件具有交叉指状平面构型。具体工艺步骤如下：首先对具有SiO2薄层的Si衬底进行切割、清洗和亲水性预处理；然后是利用真空蒸发自组装方法在衬底沉积水平有序的碳纳米管薄膜；再后是叉指型电极图案化处理，包括设计叉指型电极掩模版、光刻和沉积集流体、利用氧等离子体刻蚀，得到水平有序碳纳米管阵列薄膜微电极。最后是凝胶电解质的制备器件的封装，包括制备PVA基凝胶电解质，将电解质涂敷在电极上封装，即制成了片上集成水平有序碳纳米管阵列微型超级电容器。本发明可以实现器件结构可控、片上集成化的微型超级电容器制备。