[发明专利]一种石墨烯晶体管铅离子传感器传感及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010965017.6 申请日: 2020-09-14
公开(公告)号: CN114184663A 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 李金华;肖碧晨;王贤保 申请(专利权)人: 湖北大学
主分类号: G01N27/414 分类号: G01N27/414
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 430063 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种石墨烯晶体管铅离子传感器,包括衬底和设置于所述衬底上的栅极、源极和漏极;所述源极和漏极之间设置有石墨烯沟道;所述栅极表修饰谷胱甘肽分子。本发明探针谷胱甘肽固定在石墨烯晶体管栅电极表面,谷胱甘肽能够与溶液中的铅离子络合,从而改变晶体管与样本溶液之间的双电层界面特性,使石墨烯沟道中的电流发生化,通过检测沟道中的电流变化,可以检测溶液中的微量铅离子;本发明提供的石墨烯晶体管离子传感器固定漏极电压,改变栅极电压,铅离子的最低检测限能够达到10‑18M,且不同的铅离子浓度,传感器的电流即时发生变化,具有十分高的灵敏。
搜索关键词: 一种 石墨 晶体管 离子 传感器 传感 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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