[发明专利]一种汞污染土二硫化钼地质聚合物复合材料的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 202010964842.4 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112047667B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 曹振兴;顾张浩;梁凤芝;黄涛;邹彬;金俊勋;宋东平;秦余杨;袁凤 | 申请（专利权）人： | 常熟理工学院 |
| 主分类号： | C04B28/00 | 分类号： | C04B28/00;C04B14/36;C04B18/08;C04B18/14 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张俊范 |
| 地址： | 215500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种汞污染土二硫化钼地质聚合物复合材料的制备方法，包括步骤：以二硫化钼纳米片溶于水得到二硫化钼分散液，由二硫化钼分散液对汞污染土进行预吸附处理，然后将预吸附处理后的汞污染土固化稳定化在地质聚合物中得到二硫化钼地质聚合物复合材料。本发明的汞污染土二硫化钼地质聚合物复合材料应用于建筑材料。本发明方法以粉煤灰基地质聚合物为基体，二硫化钼纳米片掺杂在基体中，可以有效的固化稳定化汞土污染物，具有更低的汞浸出率且提高了材料的抗压强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 污染 二硫化钼 地质 聚合物 复合材料 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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