[发明专利]一种硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺在审
| 申请号： | 202010947095.3 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112062085A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 郭西;郁发新;冯光建;黄雷;高群;顾毛毛 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺，包括以下步骤：(a)、在第一硅片上沉积第一绝缘层和第一金属层；(b)、在第一金属层上设置第一凸起和第二凸起，设置第一互联柱，将第一凸起和第二凸起去除，得到第二硅片；(c)、在第二硅片上覆盖光刻胶，将第一互联柱上的光刻胶去除，硬烤成膜形成第一介质胶层；(d)、去除第一介质胶层和第一互联柱的不平整；(e)、沉积第一种子层，在第一种子层上形成第三凸起，沉积第二金属层，去除第一种子层和第三凸起，得到传输线结构。本发明的硅基光刻胶介质横向传输线结构的制作工艺，采用光刻胶作为介质，传输线结构采用精度较高的光刻工艺，提升了结构的精准程度和电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 介质 横向 传输线 结构 制作 工艺 | ||
【主权项】：
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