[发明专利]一种低温下的微波器件S参数测量装置和测量方法有效
| 申请号： | 202010944513.3 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112162184B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 金骏达;史生才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院紫金山天文台 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 南京钟山专利代理有限公司 32252 | 代理人： | 金子娟 |
| 地址： | 210023 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种低温下的微波器件S参数测量装置和测量方法，所述测量装置包括网络分析仪和校准件，其特征在于还设有杜瓦罐、温度传感器和温度监测仪、低温微波开关和微波开关控制器、上位机。其中，校准件、低温微波开关和温度传感器安置在杜瓦罐内；网络分析仪、温度监测仪、微波开关控制器和上位机均安置在杜瓦罐外。基于本发明测量装置，可以在低温下实施SOLT和TRL两种校准方法，通过这两种校准方法可自动扣除低温下辅助测量器件的影响，精确地测出低温下待测微波器件的S参数，并利用两种校准方法获得的测量结果相互验证，判断其测量结果的准确性。同时，本发明测量装置还具有结构合理，稳定可靠的优点，适合推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 微波 器件 参数 测量 装置 测量方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院紫金山天文台，未经中国科学院紫金山天文台许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010944513.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种部分熔透激光焊缝的无损检测方法
- 下一篇：通用型假台车
