[发明专利]一种温度和电压应力下SiC功率管阈值电压退化模型在审
| 申请号： | 202010937568.1 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112100914A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 王友仁;常烁;樊冀生 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | G06F30/27 | 分类号： | G06F30/27;G06F30/367;G06F119/08;G06F119/02;G06F119/12;G06F119/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种温度和电压应力下SiC功率管阈值电压退化模型，具体步骤为：首先依据阿伦尼乌斯模型、逆幂律模型和退化时间模型建立温度应力、电压应力下SiC功率MOSFET阈值电压的单应力退化模型；然后利用三个径向基神经元将得到的两个单应力阈值电压退化模型融合为SiC功率MOSFET在温度与电压耦合双应力下的阈值电压退化模型。本发明将SiC功率MOSFET阈值电压的单应力物理退化模型与径向基神经元结合，建立一种同时考虑温度和电压双应力工作条件下的通用性更强的阈值电压退化模型，从而能够准确评估SiC功率MOSFET的退化趋势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 温度 电压 应力 sic 功率管 阈值 退化 模型 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京航空航天大学，未经南京航空航天大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010937568.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种接线端子双工位同时弯折机
- 下一篇：一种基于语音引导的k8s资源创建系统
