[发明专利]一种宽带低剖面高隔离度双圆极化二维宽角扫描稀疏阵列有效
| 申请号： | 202010882591.5 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112072294B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 丁霄;王阳 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q1/38 | 分类号： | H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q21/00;H01Q21/29 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 邓黎 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种宽带低剖面高隔离度双圆极化二维宽角扫描稀疏阵列，属于微波天线技术领域。该稀疏阵列由周期排布的双端口天线单元组成，通过遗传算法优化在不同扫描角度的被激活天线单元端口，使稀疏阵列在工作时主波束的增益相比满阵时的增益降低小于等于0.5dB。本发明天线单元采用了SIW背腔式的结构，同时采用三段耦合线定向耦合器，其中第二段耦合线缝隙为锯齿状缝隙。本发明双圆极化稀疏阵列能实现双圆极化二维的宽角扫描，并且能够使用少量的T/R组件即可达到接近满阵的效果的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽带 剖面 隔离 度双圆 极化 二维 扫描 稀疏 阵列 | ||
【主权项】：
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