[发明专利]一种高纯度单分散多孔氧化硅球的制备方法有效
| 申请号： | 202010869164.3 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN112156730B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 马珍珍;蒋学鑫;王韶晖;张轲轲 | 申请（专利权）人： | 安徽壹石通材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B01J13/02 | 分类号： | B01J13/02 |
| 代理公司： | 合肥中博知信知识产权代理有限公司 34142 | 代理人： | 肖健 |
| 地址： | 233400 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯度单分散多孔氧化硅球的制备方法，涉及纳米材料技术领域，本发明所述的高纯度单分散多孔氧化硅球的制备方法，无需聚合物模板、表面活性剂、致孔剂，利用硅源中苯基的空间位阻效应致孔，使得制备过程简单，同时也节约了聚合物、表面活性剂等资源，降低了生产成本；并且制备过程中没有加入聚合物、表面活性剂等其它物质，因此无表面活性剂等残留成分，纯度更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 分散 多孔 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
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