[发明专利]一种高均匀性高功率的激光器外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202010850453.9 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN114079226A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 赵凯迪;秦鹏;李志虎 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/343;H01S5/30 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 刘文容 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高均匀性高功率的激光器外延片及其制备方法。本发明中GaAsP量子阱和GaInP限制层之间的上下波导层均由P组分渐变的GaAsP波导层和固定组分的GaAsP波导层两部分组成。GaAsP组分渐变波导层和GaAsP固定组分波导层不仅可以起限制电子和光场的作用，也可以很好地消除生长量子阱前后反应室中多余的元素，给量子阱的生长提供干净的环境，避免因为背景掺杂的影响导致外延片的波长、应力、均匀性等参数发生变化。本发明采用GaAsP作为量子阱材料，避免了含铝的有源区容易氧化和产生暗线缺陷的缺点，并且GaAsP量子阱可以通过控制As和P的比例来控制张应变的大小来降低阈值，实现TE单模输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 均匀 功率 激光器 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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