[发明专利]BiVO4在审

专利信息
申请号: 202010844413.3 申请日: 2020-08-20
公开(公告)号: CN112251763A 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 卢小泉;赵会环;刘秀娟;唐淑园;赵睿;李霆川;白蕾;韩振刚 申请(专利权)人: 西北师范大学
主分类号: C25B1/04 分类号: C25B1/04;C25B1/55;C25B11/091;C25D5/50;C25D9/04
代理公司: 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 代理人: 姜万林
地址: 730070 甘肃*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开了一种BiVO4/NiOx复合光电极的制备方法,首先用电沉积法在FTO电极上沉积形成BiVO4薄膜,制备出NiTCPP,将NiTCPP滴涂在BiVO4薄膜电极上,退火后使NiTCPP原位转化成NiOx,从而得到BiVO4/NiOx复合光电极。该方法通过退火在BiVO4的表面原位生成NiOx,方法简单、快速、安全;这种电催化剂的生成方法新颖,与此同时通过原位生长的方式有助于促进向催化位点的电子转移过程。该方法更加有利于电子和空穴的分离,进一步提高PEC性能,为光电化学水裂解提供了一种有效的途径,不仅满足了现代社会提倡的绿色能源,也是一种可持续的方式。
搜索关键词: bivo base sub
【主权项】:
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