[发明专利]光学邻近校正(OPC)方法以及使用OPC方法制造掩模的方法在审
申请号: | 202010818384.3 | 申请日: | 2020-08-14 |
公开(公告)号: | CN112462570A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 吕尚哲;崔南柯 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种光学邻近校正方法包括:提取掩模上的图案的布局的边缘,边缘包括该布局的作为曲线边缘的至少一个边缘;以及通过对所提取的布局的边缘应用边缘滤镜来生成图案的光学图像,该边缘滤镜包括与曲线边缘的角度对应的任意角度滤镜。可使用源扇区旋转来生成任意角度滤镜以与曲线边缘的角度对应。 | ||
搜索关键词: | 光学 邻近 校正 opc 方法 以及 使用 制造 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备