[发明专利]一种高温度稳定型磁共振传感器磁体结构及测量装置在审
| 申请号： | 202010813206.1 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN111948587A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 徐征;徐显能;孔晓涵 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | G01R33/34 | 分类号： | G01R33/34;G01R33/38 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400044 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明属于磁共振检测技术领域，涉及一种高温度稳定型磁共振传感器磁体结构及测量装置，包括一块导磁基底、分别放置在导磁基底四角处的主磁体以及对应放置在每块主磁体外侧的温度补偿块，纵向缝隙两侧的主磁体为反向充磁且充磁方向与下方导磁基底垂直，每块主磁体外侧的温度补偿块与该主磁体充磁方向相反，导磁基底将纵向缝隙两侧的主磁体联通，起到增强主磁体上部静态梯度磁场的目的，温度补偿块用于弥补温度升高带来主磁体上部静态梯度磁场的偏离，解决了目前绝缘材料老化状态单边磁共振检测缺少一种具有高温度稳定性的磁体结构，导致待检测绝缘材料的位置与实际检测位置不符，造成测量误差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 温度 稳定 磁共振 传感器 磁体 结构 测量 装置 | ||
【主权项】：
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