[发明专利]一种多孔ODS钨与铜的放电等离子扩散连接方法有效
申请号: | 202010749156.5 | 申请日: | 2020-07-30 |
公开(公告)号: | CN111805068B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 刘东光;马浩然;罗来马;吴玉程;阮崇飞;朱晓勇;昝详 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | B23K10/02 | 分类号: | B23K10/02;B23K20/02 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人: | 乔恒婷 |
地址: | 230009 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种多孔ODS钨与铜的放电等离子扩散连接方法,首先采用阳极氧化在ODS钨的表面形成纳米孔洞;然后通过还原反应降低ODS钨纳米孔洞中的氧含量,提高表面活性;最后采用放电等离子烧结技术,实现ODS钨与铜在没有中间层下的扩散连接。本发明利用放电等离子烧结技术,在850℃‑980℃下,在没有中间层的情况下,实现了ODS钨与铜的连接,钨与铜之间的互扩散距离可以达到600nm,接头处的硬度可以达到200HV。 | ||
搜索关键词: | 一种 多孔 ods 放电 等离子 扩散 连接 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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