[发明专利]一种超高电源纹波抑制比CMOS电压基准电路有效
| 申请号： | 202010733510.5 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111796624B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 吴建辉;瞿剑;吴志强;谢祖帅;周全才 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 沈廉 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超高电源纹波抑制比CMOS电压基准电路，所述基准电路包括第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)、第四晶体管(M4)、第五晶体管(M5)、第六晶体管(M6)、第七晶体管(M7)；其中，第六晶体管(M6)、第七晶体管(M7)构成传统的二晶体管电压基准结构，第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)、第四晶体管(M4)、第五晶体管(M5)构成反馈结构，用于优化电压基准电路的性能参数；在二晶体管CMOS电压基准电路的漏极串联两个本征MOS管，并通过引入负反馈回路，使得二晶体管CMOS的漏极为低阻态，优化电路的电源纹波抑制比和线性灵敏度。电路的结构简单，因此可以在相对较低的电源电压下工作，并且MOS管工作在亚阈值区，降低了功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 电源 抑制 cmos 电压 基准 电路 | ||
【主权项】：
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