[发明专利]一种无定形硫化钼薄膜修饰的硅光电阴极及其制备方法有效
| 申请号： | 202010732300.4 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN112030184B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 林惠文;常焜;徐旺;韩文君;秦亚雷 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C25B11/054 | 分类号： | C25B11/054;C25B11/087;C25B1/55;C25B1/04 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无定形硫化钼薄膜修饰的硅光电阴极及其制备方法，属于光电催化半导体材料领域，提供了一种在温和条件下简单并高效地制备无定形硫化钼薄膜修饰的硅光电阴极的方法，本发明的方法以可溶性硫代钼酸盐为反应原料，在氢氟酸溶液介质中通过与硅片表面简单的常温液相氧化还原作用，可控地在硅光电阴极上原位沉积无定形硫化钼，可简单地通过改变硫代钼酸盐的浓度和反应时间来控制无定形硫化钼薄膜的厚度，原料成本和制备效率均优于现有技术；所得无定形硫化钼与硅光电阴极具有紧密的界面结合作用，从而实现高效的光生电子传输。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无定形 硫化 薄膜 修饰 光电 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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