[发明专利]一种硫化钨纳米颗粒修饰的硅光电阴极及其制备方法有效
| 申请号： | 202010732234.0 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN112030176B | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 林惠文;常焜;秦亚雷;徐旺;韩文君 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C25B1/55 | 分类号： | C25B1/55;C25B1/04;C25B3/26;C25B3/21;C25B11/04;C25B11/091;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硫化钨纳米颗粒修饰的硅光电阴极及其制备方法，属于光电催化半导体材料领域，制备工艺简单易操作，条件温和且可控，可简单地通过改变硫代钨酸盐的浓度和反应时间来控制，原料成本和制备效率均优于现有技术。本发明具体包括：以可溶性硫代钨酸盐的溶液为反应原料，并以氢氟酸溶液作为反应介质，在常温条件下，通过已被氟化刻蚀处理过的硅片表面在氢氟酸介质中与硫代钨酸根离子的氧化还原作用，原位沉积硫化钨纳米颗粒至硅片表面，制得具有均匀沉积的超薄硫化钨纳米颗粒薄膜的硅光电阴极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 纳米 颗粒 修饰 光电 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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