[发明专利]一种富含氧空位Bi/BiVO4有效

专利信息
申请号: 202010719187.6 申请日: 2020-07-23
公开(公告)号: CN111841576B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 武占省;薛永涛;何秀方;田飞;李云锋;张洛红 申请(专利权)人: 西安工程大学
主分类号: B01J27/04 分类号: B01J27/04;B01J23/22;B01J37/10;B01J37/16;B01J37/03;C02F1/30;C02F101/38;C02F101/34
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 燕肇琪
地址: 710048 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种富含氧空位Bi/BiVO4‑CdS光催化剂的制备方法,具体按照以下步骤实施:步骤1:BiVO4的制备:步骤2:Bi/BiVO4的制备:步骤3:Bi/BiVO4‑CdS的制备:将Bi/BiVO4添加到含二水乙酸镉的去离子水中;然后将溶液搅拌30分钟,以实现Cd2+在Bi/BiVO4表面上的优先吸收;将硫脲加入上述溶液中并在80‑100℃下保持20‑40分钟;将沉淀物用去离子水洗涤数次,并在真空烘箱中干燥后得到Bi/BiVO4‑CdS光催化剂,提供了一种在可见光下对四环素表现出降解效率高,速率快,具有良好的经济和环境效益的富含氧空位的Bi/BiVO4‑CdS光催化剂。
搜索关键词: 一种 富含 空位 bi bivo base sub
【主权项】:
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