[发明专利]一种硅晶体生长炉在审
| 申请号： | 202010719087.3 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN112011823A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 黄旭光;焦鹏;王玉龙 | 申请（专利权）人： | 晶澳太阳能有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人： | 张一帆 |
| 地址： | 055550 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅晶体生长炉，包括：保温桶，所述保温桶为一端开放的腔体结构；坩埚，所述坩埚位于所述保温桶的腔体内；所述坩埚包括第一区域和位于第一区域的下方的第二区域；加热器，所述加热器位于所述坩埚的第一区域外壁的周围，且在所述保温桶的腔体内；隔热装置，所述隔热装置位于所述加热器下方，并位于所述坩埚的第二区域外壁的周围，由于隔热装置的作用，降低熔硅的对流强度，减少氧原子进入到拉制的单晶硅中，提高了单晶硅的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 | ||
【主权项】：
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