[发明专利]一种高能离子注入后光刻胶去除方法在审
| 申请号： | 202010718708.6 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111650821A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 杨平;张志强;夏欢 | 申请（专利权）人： | 上海稷以科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200240 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高能离子注入后光刻胶去除方法，包括以下步骤：（1）用OES光谱仪来精确判断光刻胶硬质层和未变性光刻胶的灰化过程；（2）整个灰化过程分为两步进行：（2.1）使用CF |
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| 搜索关键词： | 一种 高能 离子 注入 光刻 去除 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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