[发明专利]一种基于MCM-41分子筛表面的As(Ⅲ)离子印迹材料的制备方法在审
| 申请号： | 202010712933.9 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN111760561A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 弓亮;彭芃;杨勤桃;黄丽丽;解庆林;陈南春 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | B01J20/26 | 分类号： | B01J20/26;B01J20/30;C02F1/28;C08G77/06;C08G77/26;C02F101/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于MCM‑41分子筛表面的As(Ⅲ)离子印迹材料的制备方法。该方法以N‑(β‑氨乙基)‑γ‑氨丙基三甲氧基硅烷为功能单体，环氧氯丙烷为交联剂，MCM‑41分子筛为载体，采用表面印迹法制备基于MCM‑41分子筛表面的As(Ⅲ)离子印迹材料。本发明的基于MCM‑41分子筛表面的As(Ⅲ)离子印迹材料具有特定的三维空穴结构，机械性能好，易洗脱，可用于水溶液中As(Ⅲ)离子的特异性识别和选择性去除，且具有低成本、环保等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mcm 41 分子筛 表面 as 离子 印迹 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林理工大学，未经桂林理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010712933.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
