[发明专利]一种SmCo垂直磁各向异性薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202010693696.6 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN111962024B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 邱兆国;魏卢;曾德长;郑志刚;洪源 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/58;C23C14/35;H01F41/18 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 齐键 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SmCo垂直磁各向异性薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)通过磁控溅射制备Cr/Cu/SmCo/Cr结构的磁性薄膜材料；2)将步骤1)的磁性薄膜材料放入红外退火炉，以5～20℃/s的升温速率将炉内温度升至350～500℃，再保温5～10min。本发明的制备方法操作简单易控、处理时间短、处理成本低、处理效率高，制备得到的SmCo薄膜的垂直磁各向异性大、磁性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 smco 垂直 各向异性 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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