[发明专利]一种YIG带通滤波器的高线性磁路结构在审
| 申请号： | 202010690457.5 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN111883891A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 冯辉煜;荣建海;尹春燕;赵梓芃 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第九研究所 |
| 主分类号： | H01P1/218 | 分类号： | H01P1/218 |
| 代理公司： | 绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙) 51235 | 代理人： | 黎仲 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种YIG带通滤波器的高线性磁路结构，微波磁学器件领域，包括上磁路、下磁路及工作气隙，其特征在于：所述上磁路和下磁路的材料采用磁导率为25000～100000Gs/Oe、饱和磁通密度为1.5T～1.78T的铁镍合金材料，进一步优选采用非对称磁路结构；本发明实现了从2GHz到26.5GHz的多倍频程的高线性度调谐，线性度可以达到±7.9MHz，比普通2～26.5GHzYIG滤波器±35MHz的线性度小约±27MHz，线性度提高了约3倍，并且，还实现了小型化和轻量化，其技术发展和在多倍频程领域对目标信号的预选方面应用前景十分广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 yig 带通滤波器 线性 磁路 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第九研究所，未经中国电子科技集团公司第九研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010690457.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于双通道语音转图像式情感识别方法
- 下一篇：用于清洁机器人的碎屑排空
