[发明专利]一种表征射频离子源离子束特性的测量方法在审

专利信息
申请号: 202010672938.3 申请日: 2020-07-14
公开(公告)号: CN111885807A 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 王大森;李晓静;聂凤明;裴宁;郭海林;张旭;夏超翔 申请(专利权)人: 中国兵器科学研究院宁波分院
主分类号: H05H1/00 分类号: H05H1/00
代理公司: 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 代理人: 袁忠卫;李娜
地址: 315103 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种表征射频离子源离子束特性的测量方法,所述方法包括S1、真空腔室内固定硅片并将稳定后的离子束垂直投射于硅片上即α=0;S2、调整离子束引出端面与硅片之间的距离WD以调整形成于硅片上的束斑,并据此束斑分析离子束形态为聚焦离子束或平行离子束;S3、获取离子束投射于硅片上形成的束斑面形PV值,利用MetroPro软件分析计算束斑直径;S4、测量束斑的长半轴a和短半轴b,并据二者比值a/b大小确定束斑形状为圆形光斑或椭圆形光斑。本发明能够直观反应离子束形态、束径大小以及束斑形状,便于准确分析离子束特性,对后期工艺实验提供了指导依据。
搜索关键词: 一种 表征 射频 离子源 离子束 特性 测量方法
【主权项】:
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