[发明专利]一种氧化锆/氧化铪铁电薄膜及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种氧化锆/氧化铪铁电薄膜及其制备方法和应用，该薄膜的组成为HfZrO4，晶型为斜方晶型，其制备方法为采用磁控溅射沉积的方法，将氧化铪的靶材和氧化锆的靶材同时连接相同功率的工作电压，利用惰性气体同时轰击两个靶材来获得氧化锆/氧化铪混合薄膜，经快速退火处理，得氧化锆/氧化铪铁电薄膜。本发明通过混合两种不同的氧化物（氧化锆和氧化铪）材料，并通过快速退火处理，使获得的铁电体的极化后的极性更加的稳定，进而实现数据稳定存储功能本发明充分提高了铁电体的极化性能，满足了铁电体作为存储单元的应用需求。