[发明专利]基于三维硅结构/镍钴氢氧化物复合电极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202010603548.0 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN111816453B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 申小娟;王同飞;张旋;闵春英 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/46;H01G11/48;C01G53/00;C01G53/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于三维硅结构/镍钴氢氧化物复合电极材料及其制备方法：以三维硅结构为基底，在三维硅基底上制备镍、钴氢氧化物生长的生长层，再制备镍、钴氢氧化物活性层。生长层的引入不仅有利于镍钴氢氧化物在硅结构表面的黏附与包裹，还增加了复合电极的比电容。电极的结构有两种：一是将高导电的材料直接覆盖在三维硅结构上作为电极材料的电荷收集层，然后依次制备镍钴氢氧化物的生长层和镍钴氢氧化物的活性层；另一种是将电荷收集层直接覆盖在镍钴活性层表面。本发明制备过程简单，既可制备单金属氢氧化物活性层也可制备双金属氢氧化物活性层，降低了成本，且电极材料结构稳定，可制备出性能优异的硅电极材料，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 三维 结构 氢氧化物 复合 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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