[发明专利]一种SiC场限环终端结构参数确定方法

摘要

本发明公开了一种SiC场限环终端结构参数确定方法，包括S1、计算JBS场限环结构仿真时的基本参数S、K和W；S2、以S和k为自变量，得到44组(S、k)条件下与特征峰值电场强度点(x，y)对应的原始仿真数据；S3、从44组原始仿真数据中随机挑选4组作为验证数据，40组数据作为训练数据；S4、将40组训练数据进行多项式拟合，得到反映位置x与电场强度峰值y函数关系的多项式；S5、在MATLAB中采用多元线性回归的方法分别带入40组因变量(a4、a3、a2、a1、a0)和40组自变量(S、k)，分别得到多项式系数与自变量(S、k)的函数关系式；S6、输入一组(S、k)，得到模型y＝f(x)；S7、验证模型的有效性和精确性。