[发明专利]薄膜的制造方法在审
| 申请号： | 202010580125.1 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN112225171A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 粕谷仁一;多田一成;水町靖 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G02B1/11;G02B1/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈蕴辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种薄膜的制造方法，在薄膜上形成图案时，能够防止应用的掩模部件在干蚀刻时的掩模的磨损或缺损，并且能够以高精度形成具有微细结构的细孔的薄膜。本发明的薄膜的制造方法是具有细孔的薄膜的制造方法，其特征在于，在基板上形成薄膜之后，在该薄膜上依次层叠至少由自组织化材料构成的第一掩模和与所述第一掩模相比对反应性蚀刻处理或物理蚀刻处理具有耐性的第二掩模，通过干蚀刻处理在所述薄膜上形成细孔。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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