[发明专利]应用于高功率密度充电的超快速瞬态响应交直流转换器在审
| 申请号： | 202010575933.9 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN112152485A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 黄培伦;陈佑民;林天麒;郑荣霈;于岳平;牛志强;张晓天;王隆庆 | 申请（专利权）人： | 万国半导体国际有限合伙公司 |
| 主分类号： | H02M7/217 | 分类号： | H02M7/217;H02M3/335;H02M1/092;H02M1/14;H02M1/44;H01L25/16;H02J7/00 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张妍;周乃鑫 |
| 地址： | 加拿大安大略多伦多国王西*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一个充电器，包括外壳、第一多层印刷电路板(PCB)、第二多层印刷电路板和第三多层印刷电路板。所述的第一印刷电路板包括初级侧电路的至少一部分；所述的第二印刷电路板包括二次侧电路的至少一部分；所述的第三印刷电路板垂直于所述的第一印刷电路板和所述的第二印刷电路板，隔离耦合元件设置在第三印刷电路板上，所述的隔离耦合元件包括多层印刷电路板；所述的第一印刷电路板包括高压(HV)半导体封装，所述的高压(HV)半导体封装包括一个高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)芯片倒装在芯片基座上，所述的芯片基座的底面从成型封装的底面露出。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 功率密度 充电 快速 瞬态 响应 直流 转换器 | ||
【主权项】：
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