[发明专利]一种超低功耗的欠压保护电路有效

专利信息
申请号: 202010571275.6 申请日: 2020-06-22
公开(公告)号: CN111711172B 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 周泽坤;王佳文;金正扬;王安琪;王卓;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H02H7/12 分类号: H02H7/12;H02H3/24;H02M1/00
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种超低功耗的欠压保护电路,第一NMOS管栅漏短接并连接第二NMOS管的栅极和偏置电流,其源极连接第二NMOS管的源极并接地;第一NPN型三极管的基极和集电极连接第一电容的一端和输入信号,其发射极连接第一电容另一端并通过第一电阻后连接第二NMOS管的漏极和比较器的正相输入端;比较器的反相输入端连接第一参考电压或第二参考电压,逻辑模块将比较器的输出信号进行反相、放大并经过一个施密特触发器后产生输出信号;当输出信号为高时表示输入信号欠压,比较器反相输入信号从第一参考电压切换为第二参考电压;当输出信号为低电平时表示输入信号正常,比较器的反相输入信号从第二参考电压切换为第一参考电压。本发明实现了零温度系数的比较点,且消除了误判。
搜索关键词: 一种 功耗 保护 电路
【主权项】:
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