[发明专利]用于确定磁通量的杂散场免疫的磁场传感器布置、磁扭矩传感器布置和方法在审

专利信息
申请号: 202010558757.8 申请日: 2020-06-18
公开(公告)号: CN112114278A 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: J·毕尔巴鄂德蒙迪扎巴尔 申请(专利权)人: 迈来芯电子科技有限公司
主分类号: G01R33/02 分类号: G01R33/02;G01B7/30;G01L3/10
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈洁;黄嵩泉
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种用于以基本上杂散场免疫的方式确定信号磁通量的磁场传感器布置(220),包括:信号磁场源(S1);第一磁通聚集器和第二磁通聚集器,在磁通聚集器的外部面(204,205)之间形成气隙(203);磁通聚集器被配置为用于将信号磁通量在间隙方向(206)上引导到并穿过气隙(203);磁场传感器(207),被布置在气隙(203)内部并且被配置为用于测量在气隙方向上和垂直于气隙方向上的第一信号和第二信号(Bx,Bz);并且用于基于第一信号和第二信号(Bx,Bz)减少或消除磁干扰场。角度传感器布置。扭矩传感器。一种以基本上杂散场免疫的方式测量信号磁通量、角度、扭矩的方法。
搜索关键词: 用于 确定 磁通量 散场 免疫 磁场 传感器 布置 扭矩 方法
【主权项】:
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