[发明专利]一种单片集成三轴隧穿磁电阻的磁传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010542080.9 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111596239B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 杨怀文;赵巍胜;曹志强;冷群文 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;汤在彦 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种单片集成三轴隧穿磁电阻的磁传感器及其制备方法，该传感器包括：衬底、第一TMR磁阻单元、第二TMR磁阻单元、第三TMR磁阻单元、固定电阻、磁通导磁器、第一全桥电路、第二全桥电路以及半桥电路，其中：多个第一TMR磁阻单元位于第一全桥电路的四个桥臂上；多个第二TMR磁阻单元位于半桥电路的一对相对的桥臂上，多个固定电阻位于半桥电路的另一对相对的桥臂上；多个第三TMR磁阻单元位于第二全桥电路的四个桥臂上；第一全桥电路、第二全桥电路以及半桥电路均位于衬底上。本发明在单一衬底中且一次集成磁传感器的三轴，降低了成本，大幅度提高了器件的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单片 集成 三轴隧穿 磁电 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学，未经北京航空航天大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010542080.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种水浴反应装置
- 下一篇：钢线圈线头自动剪切装置
