[发明专利]一种避免泵浦光漂白被动调Q晶体的微片激光器在审
申请号: | 202010541050.6 | 申请日: | 2020-06-15 |
公开(公告)号: | CN111769434A | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 李强;冯海洋;惠勇凌;雷訇;朱占达 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01S3/11 | 分类号: | H01S3/11;H01S3/16;H01S3/06 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 沈波 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种避免泵浦光漂白被动调Q晶体的微片激光器,包括泵浦源、泵浦耦合系统、增益介质、抑制ASE晶体、被动调Q晶体、泵浦光和激光分离结构。在微片激光器一侧切45°角结构,泵浦光和激光通过此面的膜被分离开,避免了泵浦光对被动调Q晶体的漂白。通过热键和技术,各晶体有效牢固地结合,可提高激光器的稳定性,利于实现微片激光器的小型化。且键合后的晶体结合界面稳定,有利于晶体散热。本发明广泛应用于其他测距用的固体激光器中,易于实现小型化、大能量、窄脉宽的目标,易于实现工程应用。本发明完全避免泵浦光进入可饱和吸收调Q晶体中,从而避免了泵浦漂白问题,提高振荡激光输出的单脉冲能量,减小脉冲宽度。 | ||
搜索关键词: | 一种 避免 泵浦光 漂白 被动 晶体 激光器 | ||
【主权项】:
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